Несколько дней назад Qualcomm сообщила о работе над новейшим процессором Snapdragon 835, но характеристики (хоть и не все) стали известны лишь сейчас.

Несколько дней назад Qualcomm сообщила о работе над новейшим процессором Snapdragon 835, но характеристики (хоть и не все) стали известны лишь сейчас.

Ключевая информация (частота) отсутствует до сих пор. Однако известно, что это обновленная архитектура Kryo 200 с 8 ядрами. Установлен Adreno 540, который наверняка будет наиболее производительным GPU на момент выхода. Поддерживается 4-канальная память LPDDR4X-1866 и UFS 2.1. Есть поддержка LTE X16 и LTE Cat.16, скорость скачивания может достигать 1 Гбит/с.

Чип основан на техпроцессе 10 нм FinFET от Samsung и появится первой половине 2017 года. Первым смартфоном с этим чипом может стать Samsung Galaxy S8.

Также появились сведения о Snapdragon 660. Чип будет изготавливаться по нормам техпроцесса 14 нм Samsung FinFET LPP. Максимальная частота 2,2 ГГц. В роли GPU Adreno 512. В производство чип должен пойти во 2-м квартале 2017 и, видимо, заменит Snapdragon 652 и 653 во многих смартфонах среднего уровня. При этом первыми команиями, которые получат чип, могут стать Oppo и Vivo.

Читать
Leagoo начала работу на непальском рынке смартфонов